STP3N80K5

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Date Sheet

Lagernummer 2000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：329.988449mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
Время отключения：20.5 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：SuperMESH5™
Состояние изделия：NRND (Last Updated: 7 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Основной номер части：STP3N
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：8.5 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.5 Ω @ 1A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：130pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.5nC @ 10V
Время подъема：7.5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：800V
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.5A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Минимальная напряжённость разрушения：800V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：65 mJ
Высота：15.75mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STP3N80K5 STMicroelectronics
Запрос Со склада 2000
STF4N80K5 STMicroelectronics
Запрос Со склада 110
STP4NK80ZFP STMicroelectronics
Запрос Со склада 784
STF3N80K5 STMicroelectronics
Запрос Со склада 9000

Телефон

STP3N80K5