Изображение служит лишь для справки
FDA18N50
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
Date Sheet
Lagernummer 2500
- 1+: $2.99932
- 10+: $2.82955
- 100+: $2.66939
- 500+: $2.51829
- 1000+: $2.37574
Zwischensummenbetrag $2.99932
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:7 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-3P-3, SC-65-3
- Количество контактов:3
- Вес:6.401g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:19A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:239W Tc
- Время отключения:95 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:5V @ 250μA
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:UniFET™
- Опубликовано:2014
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:265MOhm
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:FAST SWITCHING
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:239W
- Время задержки включения:55 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:265m Ω @ 9.5A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2860pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:60nC @ 10V
- Время подъема:165ns
- Угол настройки (макс.):±30V
- Время падения (тип):90 ns
- Непрерывный ток стока (ID):19A
- Пороговое напряжение:5V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Напряжение пробоя стока к истоку:500V
- Максимальный импульсный ток вывода:76A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):945 mJ
- Высота:18.9mm
- Длина:15.8mm
- Ширина:5mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free










