Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
STGHU30M65DF2AG
-
STMicroelectronics
-
Transistors - IGBTs - Arrays
- HU3PAK-7
- IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Date Sheet
Lagernummer 96
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：HU3PAK-7
- РХОС：RoHS Compliant
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6 V
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Continuous Collector Current at 25 C：87 A
- Распад мощности：441 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Квалификация：AEC-Q101
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：57 A
- Gate-Emitter Leakage Current：250 nA
- Производственный партионный объем：600
- Вес единицы：0.081836 oz
- Пакетирование：Reel
- Конфигурация：Single
Со склада 96
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
