NTD32N06

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：32A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.5W Ta 93.75W Tj
Время отключения：31 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：32A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：93.75W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：26m Ω @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1725pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：60nC @ 10V
Время подъема：84ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：93 ns
Непрерывный ток стока (ID)：32A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.026Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Максимальный импульсный ток вывода：90A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：313 mJ
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

NTD32N06