BSS138LT3

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 120

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：225mW Ta
Время отключения：20 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 1mA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn80Pb20)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Моментальный ток：200mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：225mW
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.5 Ω @ 200mA, 5V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：200mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.2A
Напряжение пробоя стока к истоку：50V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
REACH SVHC：not_compliant
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 120

Итого $0.00000

Телефон

BSS138LT3