2N7002LT3

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 50000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：115mA Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：225mW Ta
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn80Pb20)
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：115A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：300mW
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：115mA
Код JEDEC-95：TO-236AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 50000

Итого $0.00000

Телефон

2N7002LT3