FDD6680

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 239433

1+： $1.59717
10+： $1.50677
100+： $1.42148
500+： $1.34102
1000+： $1.26511

Zwischensummenbetrag $1.59717

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A Ta 46A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.3W Ta 56W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：FDD6680
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10m Ω @ 12A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1230pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：55A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0105Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：100A
Минимальная напряжённость разрушения：30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：205 mJ

Со склада 239433

1+： $1.59717
10+： $1.50677
100+： $1.42148
500+： $1.34102
1000+： $1.26511

Итого $1.59717

Телефон

FDD6680