FQP2N40

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 15399

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.8A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：40W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.8 Ω @ 900mA, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：150pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.5nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：400V
Угол настройки (макс.)：±30V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальный сливовой ток (ID)：1.8A
Максимальный импульсный ток вывода：7.2A
Минимальная напряжённость разрушения：400V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：85 mJ
REACH SVHC：compliant

Со склада 15399

Итого $0.00000

Телефон

FQP2N40