NTMS4101PR2

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 78000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.38W Tj
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：450mV @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：-6.5A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PDSO-G8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：19m Ω @ 6.9A, 4.5V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3200pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：32nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：±8V
Непрерывный ток стока (ID)：6.9A
Сопротивление открытого канала-макс：0.019Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：30A
REACH SVHC：not_compliant
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 78000

Итого $0.00000

Телефон

NTMS4101PR2