2N5012

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-5-3
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 22

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-5-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：1 W
Полярность транзистора：NPN
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：30 at 25 mA, 10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6 V
Минимальная температура работы：- 65 C
Монтажные варианты：Through Hole
Максимальный постоянный ток сбора：200 mA
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：700 V
Ранг риска：8.12
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Количество элементов：1
Производитель：Microsemi Corporation
Форма упаковки：ROUND
Артикул Производителя：2N5012
Рохс Код：No
Температура работы-Макс：200 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：METAL
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Описание пакета：TO-5, 3 PIN
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Полярность/Тип канала：NPN
Код JEDEC-95：TO-5
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：700 V
Максимальный ток коллектора (IC)：0.2 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：700 V

Со склада 22

Итого $0.00000

Телефон

2N5012