STD78N75F4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 749

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：78A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：125W Tc
Время отключения：61 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：DeepGATE™, STripFET™
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STD78N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：25 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11m Ω @ 35A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5015pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：76nC @ 10V
Время подъема：33ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：75V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：14 ns
Непрерывный ток стока (ID)：70A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.011Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：280A
Минимальная напряжённость разрушения：75V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：185 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 749

Итого $0.00000

Телефон

STD78N75F4