STD6NM60N

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 98

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：45W Tc
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：MDmesh™ II
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：920mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STD6N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：45W
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：920m Ω @ 2.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：420pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13nC @ 10V
Время подъема：8ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：65 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 98

Итого $0.00000

Телефон

STD6NM60N