STD4NK50Z-1

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
STMICROELECTRONICS STD4NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.5 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
Date Sheet

Lagernummer 1881

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A Tc
Максимальная мощность рассеяния：45W Tc
Время отключения：21 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
Количество элементов：1
Серия：SuperMESH™
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STD4N
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：45W
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.7 Ω @ 1.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：310pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
Время подъема：7ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：11 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.5A
Пороговое напряжение：3.75V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：3A
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Ширина：2.4mm
Высота：6.2mm
Длина：6.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1881

Итого $0.00000

Телефон

STD4NK50Z-1