STD60N3LH5

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
Date Sheet

Lagernummer 666895

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：48A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
Время отключения：19 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™ V
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：8MOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Дополнительная Характеристика：ULTRA-LOW RESISTANCE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STD60N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：60W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：6 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8m Ω @ 24A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1350pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.8nC @ 5V
Время подъема：33ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：4.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)：24A
Пороговое напряжение：1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：22V
Максимальный сливовой ток (ID)：48A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Высота：2.4mm
Длина：6.6mm
Ширина：6.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 666895

Итого $0.00000

Телефон

STD60N3LH5