STD7NM50N-1

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
Date Sheet

Lagernummer 467

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：45W Tc
Время отключения：40 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ II
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STD7
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：45W
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：780m Ω @ 2.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：400pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
Время подъема：5ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Максимальный сливовой ток (ID)：5A
Сопротивление открытого канала-макс：0.78Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Максимальный импульсный ток вывода：20A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：100 mJ
REACH SVHC：unknown
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 467

Итого $0.00000

Телефон

STD7NM50N-1