STD8NM60N-1

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Date Sheet

Lagernummer 509

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ II
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：Through Hole
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STD8N
Число контактов：3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：70W
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：650m Ω @ 3.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：560pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19nC @ 10V
Время подъема：12ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Максимальный сливовой ток (ID)：7A
Сопротивление открытого канала-макс：0.65Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Максимальный импульсный ток вывода：28A
Двухпитание напряжения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：200 mJ
Номинальное Vgs：3 V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 509

Итого $0.00000

Телефон

STD8NM60N-1