STD110NH02LT4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 756

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：125W Tc
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
Время отключения：69 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™ III
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：24V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：80A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STD11
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：125W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5m Ω @ 40A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4450pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：93nC @ 10V
Время подъема：224ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：40 ns
Непрерывный ток стока (ID)：80A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.005Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：24V
Максимальный импульсный ток вывода：320A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：900 mJ
REACH SVHC：not_compliant
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 756

Итого $0.00000

Телефон

STD110NH02LT4