STD70N03L-1

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET N-CH 30V 70A IPAK
Date Sheet

Lagernummer 9000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：70A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
Время отключения：19 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：STripFET™ III
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：5.9mOhm
Конечная обработка контакта：TIN
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STD70N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：70W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.3m Ω @ 35A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21nC @ 5V
Время подъема：95ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：70A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：280A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：300 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 9000

Итого $0.00000

Телефон

STD70N03L-1