STS4DPFS30L

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET P-Ch 30 Volt 5 Amp
Date Sheet

Lagernummer 703

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Tc
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Tc
Время отключения：125 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Серия：STripFET™
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e4
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-30V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-5A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STS4D
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Время задержки включения：25 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：55m Ω @ 2.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1350pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 5V
Время подъема：35ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±16V
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Сопротивление открытого канала-макс：0.095Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 703

Итого $0.00000

Телефон

STS4DPFS30L