STD30NE06LT4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 87490

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：55W Tc
Рабочая температура：175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：30A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STD30N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：55W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：28m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2370pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：41nC @ 5V
Время подъема：100ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：45 ns
Непрерывный ток стока (ID)：30A
Код JEDEC-95：TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.03Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Максимальный импульсный ток вывода：120A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：100 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 87490

Итого $0.00000

Телефон

STD30NE06LT4