STB70NH03LT4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 613

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：858W Tc
Время отключения：19 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™ III
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：245
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：60A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STB70N
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：858W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.5m Ω @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21nC @ 5V
Время подъема：95ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：60A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.017Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：240A
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 613

Итого $0.00000

Телефон

STB70NH03LT4