STD22NM20NT4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 135

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：22A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：100W Tc
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：MDmesh™ II
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：105mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：22A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STD22N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：100W
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：105m Ω @ 11A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：800pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50nC @ 10V
Время подъема：15ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：11 ns
Непрерывный ток стока (ID)：22A
Пороговое напряжение：4.2V
Код JEDEC-95：TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Максимальный импульсный ток вывода：88A
Двухпитание напряжения：200V
Номинальное Vgs：4.2 V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 135

Итого $0.00000

Телефон

STD22NM20NT4