IRFIZ24E

Infineon Technologies
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
Date Sheet

Lagernummer 3300

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Поверхностный монтаж：NO
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：29W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：1997
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Положение терминала：SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：ISOLATED
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：71m Ω @ 7.8A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：370pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：14A
Сопротивление открытого канала-макс：0.071Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：68A
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：71 mJ
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant

Со склада 3300

Итого $0.00000

Телефон

IRFIZ24E