STD19NF20

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 2486

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：90W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：MESH OVERLAY™
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STD19
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：160m Ω @ 7.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：800pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：15A
Сопротивление открытого канала-макс：0.16Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：60A
Минимальная напряжённость разрушения：200V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：110 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2486

Итого $0.00000

Телефон

STD19NF20