STF20NM60D

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
Date Sheet

Lagernummer 2300

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：45W Tc
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：FDmesh™
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Основной номер части：STF20
Число контактов：4
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：45W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：25 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：290m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37nC @ 10V
Время подъема：12ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：22 ns
Непрерывный ток стока (ID)：20A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.29Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：80A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：700 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2300

Итого $0.00000

Телефон

STF20NM60D