STD35N3LH5

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 17038

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：35W Tc
Время отключения：20 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™ V
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：16MOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Основной номер части：STD35
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：35W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：4 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：725pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6nC @ 4.5V
Время подъема：4ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：3.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：35A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 17038

Итого $0.00000

Телефон

STD35N3LH5