STD50NH02L-1

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.8V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：STripFET™ III
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Ток постоянного напряжения - номинальный：24V
Положение терминала：SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：50A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STD50N
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.5m Ω @ 25A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1400pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24nC @ 10V
Время подъема：130ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：50A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0105Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：200A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：280 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

STD50NH02L-1