STS2DPFS20V

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 130

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.7V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2W Tc
Время отключения：45 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：600mV @ 250μA
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：STripFET™ II
Код JESD-609：e4
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-2.5A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STS2D
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：200m Ω @ 1A, 4.5V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：315pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.7nC @ 4.5V
Время подъема：30ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：±12V
Время падения (тип)：11 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальный сливовой ток (ID)：2A
Сопротивление открытого канала-макс：0.25Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Максимальный импульсный ток вывода：10A
Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 130

Итого $0.00000

Телефон

STS2DPFS20V