IRF640

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 4600

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-220-3
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：125W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MESH OVERLAY™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：18A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：IRF6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：125W
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：180m Ω @ 9A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1560pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：72nC @ 10V
Время подъема：27ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：18A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Максимальный импульсный ток вывода：72A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：280 mJ
REACH SVHC：not_compliant
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 4600

Итого $0.00000

Телефон

IRF640