IRF820

Lagernummer 50

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：80W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：PowerMESH™ II
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH VOLTAGE
Ток постоянного напряжения - номинальный：500V
Моментальный ток：2.5A
Основной номер части：IRF8
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：80W
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3 Ω @ 1.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：315pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
Время подъема：13ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：13 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Сопротивление открытого канала-макс：3Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Максимальный импульсный ток вывода：12A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：210 mJ
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：50 pF
Время выключения максимальное (toff)：245ns
Время включения максимальный (тон)：137ns
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 50

Итого $0.00000

Телефон

IRF820