IRF830

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 25000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：100W Tc
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：PowerMESH™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING
Ток постоянного напряжения - номинальный：500V
Моментальный ток：4.5A
Основной номер части：IRF8
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：100W
Время задержки включения：11.5 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 2.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：610pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30nC @ 10V
Время подъема：8ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4.5A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Максимальный импульсный ток вывода：18A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：290 mJ
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：55 pF
Время включения максимальный (тон)：102ns
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 25000

Итого $0.00000

Телефон

IRF830