STD10NF30

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 15000

1+： $1.61646
10+： $1.52496
100+： $1.43864
500+： $1.35721
1000+： $1.28039

Zwischensummenbetrag $1.61646

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：12 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：103W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101, MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STD10
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：330m Ω @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：780pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：300V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：10A
Сопротивление открытого канала-макс：0.33Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：40A
Минимальная напряжённость разрушения：300V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：175 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 15000

1+： $1.61646
10+： $1.52496
100+： $1.43864
500+： $1.35721
1000+： $1.28039

Итого $1.61646

Телефон

STD10NF30