STD12N60M2

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Date Sheet

Lagernummer 7500

1+： $1.88349
10+： $1.77688
100+： $1.67630
500+： $1.58142
1000+： $1.49190

Zwischensummenbetrag $1.88349

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：85W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：MDmesh™ M2
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Основной номер части：STD12
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450m Ω @ 4.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：538pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±25V
Максимальный сливовой ток (ID)：9A
Сопротивление открытого канала-макс：0.45Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：36A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：117 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 7500

1+： $1.88349
10+： $1.77688
100+： $1.67630
500+： $1.58142
1000+： $1.49190

Итого $1.88349

Телефон

STD12N60M2