FQPF9P25

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F
Date Sheet

Lagernummer 2

1+： $1.78835
10+： $1.68713
100+： $1.59163
500+： $1.50154
1000+： $1.41654

Zwischensummenbetrag $1.78835

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Поверхностный монтаж：NO
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：50W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：ISOLATED
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：620m Ω @ 3A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1180pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：250V
Угол настройки (макс.)：±30V
Максимальный сливовой ток (ID)：6A
Сопротивление открытого канала-макс：0.62Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：24A
Минимальная напряжённость разрушения：250V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：650 mJ
REACH SVHC：not_compliant
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2

1+： $1.78835
10+： $1.68713
100+： $1.59163
500+： $1.50154
1000+： $1.41654

Итого $1.78835

Телефон

FQPF9P25