STD180N4F6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1
Date Sheet

Lagernummer 470

1+： $2.18789
10+： $2.06405
100+： $1.94721
500+： $1.83699
1000+： $1.73301

Zwischensummenbetrag $2.18789

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：NRND (Last Updated: 7 months ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：130W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STD18
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.8m Ω @ 40A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7735pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：130nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：80A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0028Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：320A
Минимальная напряжённость разрушения：40V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 470

1+： $2.18789
10+： $2.06405
100+： $1.94721
500+： $1.83699
1000+： $1.73301

Итого $2.18789

Телефон

STD180N4F6