STD5N80K5

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
Date Sheet

Lagernummer 35

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：17 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вид крепления：Surface Mount
Материал элемента транзистора：SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
Количество элементов：1
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Tc
Серия：MDmesh™
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STD5N
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.75 Ω @ 2A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：177pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：800V
Угол настройки (макс.)：±30V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Максимальный импульсный ток вывода：16A
Минимальная напряжённость разрушения：800V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：165 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 35

Итого $0.00000

Телефон

STD5N80K5