FDB6670AS

Rochester Electronics, LLC
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：62A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：62.5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 1mA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：NOT SPECIFIED
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：COMMERCIAL
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.5m Ω @ 31A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1.57pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：39nC @ 15V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：62A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0085Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：150A
Минимальная напряжённость разрушения：30V
REACH SVHC：unknown
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

FDB6670AS