FCB20N60TM

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 1212

1+： $6.52702
10+： $6.15757
100+： $5.80903
500+： $5.48021
1000+： $5.17001

Zwischensummenbetrag $6.52702

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：208W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：SuperFET™
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：FCB20N60
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3080pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：98nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±30V
Максимальный сливовой ток (ID)：20A
Сопротивление открытого канала-макс：0.19Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：60A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：690 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1212

1+： $6.52702
10+： $6.15757
100+： $5.80903
500+： $5.48021
1000+： $5.17001

Итого $6.52702

Телефон

FCB20N60TM