LN100LA-G

Microchip Technology
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
6-VFLGA
MOSFET 1200V Cascoded N-Channel MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-VFLGA
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Рабочая температура：-25°C~125°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2014
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：350mW
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BUTT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Тип ТРВ：2 N-Channel (Cascoded)
Применение транзистора：AMPLIFIER
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3000 Ω @ 2mA, 2.8V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.6V @ 10μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V 1.2kV
Непрерывный ток стока (ID)：3mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：1.6V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

LN100LA-G