MMDF2C03HDR2

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 89

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.1A 3A
Количество элементов：2
Время отключения：81 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Максимальная потеря мощности：2W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：4.1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MMDF2C03HD
Число контактов：8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70m Ω @ 3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：630pF @ 24V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 10V
Время подъема：18ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)：194 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.07Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：21A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：324 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 89

Итого $0.00000

Телефон

MMDF2C03HDR2