STS3C2F100

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N Ch 100V 0.110 OHM 3A
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：33 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™
Код JESD-609：e4
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：NICKEL PALLADIUM GOLD
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：2W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：3A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STS3D
Число контактов：8
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：145m Ω @ 1.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：460pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：20ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)：7.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：3A
Сопротивление открытого канала-макс：0.145Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

STS3C2F100