STS4DNF60

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N Ch 60V 0.070 Ohm 4A
Date Sheet

Lagernummer 10001

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：17 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STS4D
Число контактов：8
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：7 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90m Ω @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：315pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10nC @ 10V
Время подъема：18ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Время падения (тип)：6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Сопротивление открытого канала-макс：0.09Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Максимальный импульсный ток вывода：16A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 10001

Итого $0.00000

Телефон

STS4DNF60