STS4DNF30L

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-Ch 30 Volt 3.5 A
Date Sheet

Lagernummer 15630

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：50mOhm
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STS4D
Число контактов：8
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：330pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9nC @ 10V
Время подъема：100ns
Время падения (тип)：22 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：16A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 15630

Итого $0.00000

Телефон

STS4DNF30L