BCP52-16

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-261-4, TO-261AA
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Date Sheet

Lagernummer 28722

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：40
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.4W
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：50MHz
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：150°C TJ
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-1A
Частота：50MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BCP52
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.4W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：50MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 28722

Итого $0.00000

Телефон

BCP52-16