BD677

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
Date Sheet

Lagernummer 500000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-225AA
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：4A
Минимальная частота работы в герцах：750
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2009
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Максимальная потеря мощности：40W
Моментальный ток：4A
Основной номер части：BD677
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：40W
Мощность - Макс：40W
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.5V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：4A
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 500000

Итого $0.00000

Телефон

BD677