MJD210

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
Date Sheet

Lagernummer 2000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：65MHz
Максимальная мощность рассеяния：1.4W
Количество элементов：1
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5A
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
Минимальная частота работы в герцах：70
Диэлектрический пробой напряжение：25V
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-25V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：-5A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MJD210
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.8V
Максимальный ток сбора：5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：45 @ 2A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.8V @ 1A, 5A
Частота перехода：65MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：8V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 2000

Итого $0.00000

Телефон

MJD210