MJD47

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS NPN 250V 1A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 133748

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：250V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Минимальная частота работы в герцах：30
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：10MHz
Максимальная мощность рассеяния：1.56W
Количество элементов：1
Опубликовано：2009
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Ток постоянного напряжения - номинальный：250V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：1A
Частота：10MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MJD47
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.56W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 300mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：200μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 200mA, 1A
Частота перехода：10MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：350V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 133748

Итого $0.00000

Телефон

MJD47