MJD50

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS NPN 400V 1A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 22800

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.56W
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：10MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Диэлектрический пробой напряжение：400V
Минимальная частота работы в герцах：30
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：400V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MJD50
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 300mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：200μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 200mA, 1A
Частота перехода：10MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：500V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 22800

Итого $0.00000

Телефон

MJD50