BF422RL1G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TRANS NPN 250V 0.05A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：50
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：830mW
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：60MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
Диэлектрический пробой напряжение：250V
Опубликовано：2005
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e1
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Дополнительная Характеристика：EUROPEAN PART NUMBER
Ток постоянного напряжения - номинальный：250V
Положение терминала：BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：50mA
Частота：60MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BF422
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：830mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250V
Максимальный ток сбора：50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 25mA 20V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 2mA, 20mA
Частота перехода：60MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：250V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

BF422RL1G