BUD42D

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS NPN 350V 4A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 347

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：350V
Collector-Emitter Saturation Voltage：200mV
Максимальная мощность рассеяния：25W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：8
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e0
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK
Ток постоянного напряжения - номинальный：350V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：BUD42
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：25W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：10 @ 2A 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 500mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：650V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 347

Итого $0.00000

Телефон

BUD42D